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IDH08G65C5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

IDH08G65C5
廠商型號

IDH08G65C5

參數(shù)屬性

IDH08G65C5 封裝/外殼為TO-220-2;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2-1

功能描述

650V SiC thinQ!??Generation 5 diodes
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2-1

封裝外殼

TO-220-2

文件大小

417.84 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 18:12:00

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IDH08G65C5規(guī)格書詳情

IDH08G65C5屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IDH08G65C5二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

特性 Features

■ V? at 650V

Improved Figure of Merit (Q x V)

■ No reverse recovery charge

■ Soft switching reverse

recovery waveform

■ Temperature independent

switching behavior

High operating temperature

(?175°C)

■ Improved surge capability

■ Pb-free lead plating

?10 years manufacturing of SIC diodes

Benefits

■ Higher safety margin against

Overvoltage; best match with

CoolMOS? 650V products

Improved efficiency over all

load conditions

■ Increased efficiency compared to

Silicon Diode alternatives

■ Reduced EMI compared to snappier

Silicon diode reverse recovery

waveform

Highly stable switching performance

Reduced cooling requirements

■ Reduced risks of thermal runaway

■ RoHS compliant

High quality know-how and capacity

in SiC diode manufacture

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IDH08G65C5XKSA2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    CoolSiC?+

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    碳化硅肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)

  • 不同?Vr、F 時電容:

    250pF @ 1V,1MHz

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO220-2-1

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2-1

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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