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IQTCQO-251KS

TemperatureCompensatedCrystalOscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

IQTCQO-251KU

TemperatureCompensatedCrystalOscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IQTCQO-251KX

TemperatureCompensatedCrystalOscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IQTCXO-251

Temperaturecompensatedcrystaloscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IRF251

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highvoltage)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF251

HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries

FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert

IXYS

IXYS Corporation

IRF251

N-CHANNEPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF251

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF251

NanosecondSwitchingSpeed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP251

N-ChannelPowerMosfets

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    ICS251PMILF

  • 功能描述：

    IC CLK SYNTHESIZER FP SGL 8-SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器

  • 系列：

    VersaClock™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,000

  • 系列：

    -

  • 類型：

    PLL 頻率合成器

  • PLL：

    是

  • 輸入：

    晶體

  • 輸出：

    時(shí)鐘

  • 電路數(shù)：

    1 比率 -

  • 1：

    1 差分 -

  • 輸出：

    無/無 頻率 -

  • 最大：

    1GHz

  • 除法器/乘法器：

    是/無

  • 電源電壓：

    4.5 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -20°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    16-LSSOP（0.175，4.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    16-SSOP

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 其它名稱：

    NJW1504V-TE1-NDNJW1504V-TE1TR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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只做進(jìn)口原裝正品!假一賠十!
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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原裝正品,自己庫存
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原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
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SOP-8
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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SOP8
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6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
更多ICS251PMILF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 13:52:00

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