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UP1722P

1.5MHz,1.3A,High-EfficiencySynchronous-RectifiedBuckConverter

UPI

uPI Semiconductor Corp

UPA1722

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheμPA1722isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=21.0m?MAX.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=29.0m?MAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A)

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPA1722

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=29.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A) RDS(on)3=32.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=4.5A) ?LowCiss:Ciss=980pFTYP. ?Built-inG-Sprotectiondiode ?Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP8)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA1722G

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=29.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A) RDS(on)3=32.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=4.5A) ?LowCiss:Ciss=980pFTYP. ?Built-inG-Sprotectiondiode ?Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP8)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA1722G

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheμPA1722isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES ?Lowon-resistance RDS(on)1=21.0m?MAX.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=29.0m?MAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A)

NECRenesas Electronics America

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更多ICS1722ST供應(yīng)商 更新時間2025-7-25 17:55:00

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