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HZM6.8N	文件：210.1 Kbytes Page：10 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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HZM6.8NB	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.8ZMFA	文件：164.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb Features ?HZM6.8ZMFAhasfourdevicesinamonolithic,andcanabsorbsurge. ?Lowcapacitance(C=25pFmax)andcanprotectESDofsignalline. ?MPAK-5Packageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.8ZMFA	文件：27.1 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZM6.8ZMWA	文件：89.67 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM6.8ZWA	文件：32.13 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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HZU6.8	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. ?Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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