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HYB18T1G800BF-3S集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

HYB18T1G800BF-3S
廠商型號

HYB18T1G800BF-3S

參數(shù)屬性

HYB18T1G800BF-3S 封裝/外殼為68-TFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA

功能描述

1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA

封裝外殼

68-TFBGA

文件大小

4.0317 Mbytes

頁面數(shù)量

74

生產(chǎn)廠商

QIMONDA Qimonda AG

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-19 18:49:00

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HYB18T1G800BF-3S價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

HYB18T1G800BF-3S規(guī)格書詳情

HYB18T1G800BF-3S屬于集成電路(IC)的存儲器。由Qimonda AG制造生產(chǎn)的HYB18T1G800BF-3S存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HYB18T1G800BF-3S

  • 制造商:

    Qimonda

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    68-TFBGA

  • 描述:

    IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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