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HY27UF081G2M-V中文資料海力士數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HY27UF081G2M-V
廠商型號

HY27UF081G2M-V
功能描述

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
文件大小

476.81 Kbytes
頁面數(shù)量

48 頁
生產(chǎn)廠商

HYNIX
中文名稱

海力士
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 17:41:00
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HY27UF081G2M-V規(guī)格書詳情

SUMMARY DESCRIPTION

The HYNIX HY27(U/S)F(08/16)1G2M series isa 128Mx8bit with spare 4Mx8 bit capacity. The device is offered in 1.8V Vcc Power Supply and in 3.3V Vcc Power Supply. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. The device contains 1024 blocks, composed by 64 pages consisting in two NAND structures of 32 series connected Flash cells.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    HY27UF081G2M-V

  • 制造商：

    HYNIX

  • 制造商全稱：

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述：

    1Gbit(128Mx8bit/64Mx16bit) NAND Flash Memory

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Skhynix
1844+
TSOP
6528
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SKHYNIX
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