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HY110N06T中文資料虹揚(yáng)科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HY110N06T
廠商型號(hào)

HY110N06T

功能描述

55V / 110A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件大小

252.38 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

HY

中文名稱

虹揚(yáng)科技

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-3 8:14:00

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HY110N06T規(guī)格書詳情

55V, RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V, ID=30A

特性 Features

? Low On-State Resistance

? Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM )

? Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

? Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor Control

? In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives

Mechanical Information

? Case: TO-220AB Molded Plastic

? Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HY110N06T

  • 制造商:

    HY

  • 制造商全稱:

    HY ELECTRONIC CORP.

  • 功能描述:

    55V/110A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
PANASONIC(松下)
24+
DIP,7.4x12mm
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PANASONIC
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1000000
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