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HUF75639P3數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書
HUF75639P3規(guī)格書詳情
描述 Description
這些 N 溝道功率 MOSFET 采用創(chuàng)新的 UltraFET 工藝制造。 這種先進工藝技術(shù)實現(xiàn)了單位硅面積內(nèi)最低的通態(tài)電阻，可以帶來出色的性能。 此器件能夠在雪崩模式下承受高能量并且二極管具有極低的反向恢復時間和存儲電荷。 設計用于電源效率很重要的應用，如開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、繼電器驅(qū)動器、低電壓總線開關(guān)，以及便攜式產(chǎn)品和電池供電產(chǎn)品中的電源管理。
特性 Features
?56A，100V
?溫度補償式PSPICE?和SABER? 電氣模型
?SPICE和SABER熱阻抗模型
?峰值電流與脈寬曲線
?UIS額定值曲線 這些N溝道Power MOSFET采用創(chuàng)新的UltraFET?工藝制造。 這種先進工藝技術(shù)實現(xiàn)了單位硅面積內(nèi)最低的通態(tài)電阻，可以帶來出色的性能。 此器件能夠在雪崩模式下承受高能量并且二極管具有極低的反向恢復時間和存儲電荷。 設計用于電源效率很重要的應用，如開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、繼電器驅(qū)動器、低電壓總線開關(guān)，以及便攜式產(chǎn)品和電池供電產(chǎn)品中的電源管理。
應用 Application
? AC-DC商用電源-服務器和工作站
? 工作站
? 服務器和大型機
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：HUF75639P3
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：56
- PD Max (W)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：57
- Ciss Typ (pF)
：2000
- Package Type
：TO-220-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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