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IRFY440C	文件：189.4 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRFY440CM	文件：300.25 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=7.0A) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
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IRGB440U	文件：252.36 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=22A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
IRGB440U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRGP440U	文件：254.96 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=22A) Introduction Thereliabilityreportisasummaryofthetestdatacollatedsincetheimplementationofthereliabilityprogramme.Thisreportwillbeperiodicallyupdatedtypicallyonaquarterlybasis.Futurepublicationsofthisreportwillalsoincludeasappropriateadditionalinformationto	IRF International Rectifier	IRF
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