HS26P10數(shù)據(jù)手冊H-SUN中文資料規(guī)格書
HS26P10規(guī)格書詳情
描述 Description
HS26P10是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機(jī)，它內(nèi)部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。
特性 Features
◆ 除了跳轉(zhuǎn)指令2個指令周期外，其他指令都是一個指令周期
◆ 2K*16位片內(nèi)ROM
◆ 可直接、間接尋址
◆ 3個8位定時器：
TC0：外部事件計數(shù)器/PWM0/ Buzzer輸出。
TC1：外部事件計數(shù)器/PWM1/ Buzzer輸出。
TC2：外部事件計數(shù)器/PWM2/ Buzzer輸出
◆ 內(nèi)置上電復(fù)位，掉電復(fù)位
◆ 內(nèi)置上電復(fù)位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT
◆ 內(nèi)置可預(yù)分頻WDT
◆ 四種振蕩模式 內(nèi)置高速振蕩器16MHz
內(nèi)置低速振蕩器32K
外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz
外置低速晶體振蕩器32.768KHz
◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護(hù)程序不被讀出
◆ 128*8 bit SRAM
◆ 3組標(biāo)準(zhǔn)雙向I/O端口
◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧
◆ 6種可用中斷
4個內(nèi)部中斷：TC0、TC1、TC2、ADC
◆ 2個外部中斷：INT0，INT1
◆ ADC
5個外部ADC輸入
1個內(nèi)部電池檢測
內(nèi)部AD參考電壓（VDD、4V、3V、2V）
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：HS26P10
- 生產(chǎn)廠家
：H-SUN
- VDD
：2.2~5.0V
- ILRC
：32K
- ROM
：2K
- RAM
：128
- I/O
：6/12/14/16/18
- TIMER
：2*8bit 1*16bit
- STACK
：8
- ADC
：(5+1)*12bit
- PWM
：3*8bit
- E2
：-
- Package
：SOP8/SOP14/SOP16/SOP18/SOP20/DIP8/DIP14/DIP16/DIP18/DIP20/TSSOP20
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