描述 Description

HS0884是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機(jī)，它內(nèi)部包含一個(gè)4K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲(chǔ)器(OTP-ROM)，和一個(gè)1K*8-bit的多次可編程電存儲(chǔ)器(MTP)，內(nèi)置了紅外學(xué)習(xí)電路。

特性 Features

◆ 寬工作電壓范圍：2.2V~3.6V （8M 2分頻），MTP燒寫和擦除是電壓2.5v以上。
◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃
◆ 工作頻率范圍：
內(nèi)置RC 8MHz±2%
系統(tǒng)時(shí)鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16、Fosc/32
◆ 4K*16-bit片內(nèi)ROM
◆ 1K*8-bit片內(nèi)MTP
◆ 可直接、間接尋址
◆ 1個(gè)16位定時(shí)器TC0，做PWM、Buzzer時(shí)8位有效。
◆ 1個(gè)16位基本定時(shí)器T1
◆ 1個(gè)12位定時(shí)器TM1，可組成3路12位PWM或者1組帶死區(qū)互補(bǔ)12位PWM。
◆ 內(nèi)置上電復(fù)位時(shí)間PWRT
◆ 內(nèi)置WDT看門狗
◆ 內(nèi)置可校準(zhǔn)IRC振蕩器(8MHZ)
◆ 一個(gè)安全位（代碼寄存器中）保護(hù)程序不被讀出
◆ 512*8bits片內(nèi)寄存器組（SRAM，一般寄存器）
◆ 3組雙向I/O端口
◆ 8級(jí)用于子程序嵌套的堆棧
◆ 節(jié)能模式（SLEEP模式）
◆ 7種可用中斷：TC0、T0、TM1、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷
◆ 內(nèi)置紅外發(fā)射放大驅(qū)動(dòng)電路
◆ 內(nèi)部上電復(fù)位電路(POR)
◆ 內(nèi)置低電壓檢測(cè)（LVD），用于欠壓復(fù)位（BOR）