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HPA600R1K6DN中文資料MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管--超結(jié)MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)CRMICRO規(guī)格書

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廠商型號(hào)

HPA600R1K6DN

功能描述

MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管--超結(jié)MOSFET

制造商

CRMICRO China Resources Microelectronics Limited

中文名稱

華潤(rùn)微電子 華潤(rùn)微電子有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-14 8:50:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :HPA600R1K6DN

  • 生產(chǎn)廠家

    :CRMICRO

  • ID(A)

    :5

  • RDSON(Ω)(@Vgs=10V)

    :1.6

  • VGS(TH)(V)

    :2-4

  • QG(nC)

    :12.8

  • 封裝形式

    :TO-220F

  • 狀態(tài)

    :量產(chǎn)

  • 更新日期

    :2017-09-30

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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