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IRFP260M	文件：333.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ·DESCRITION ·HighSpeedPowerSwitching ·FEATURES ·Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤40m? ·Enhancementmode: ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.04? ID=50A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETP	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：1.13621 Mbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFP260N	文件：122.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.04ohm,Id=50A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260N	文件：334.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FullyAvalancheRated ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤40m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP260NPBF	文件：200.69 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260NPBF	文件：186.11 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260NPBF	文件：325.38 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-247packaging ?Easeofparalleling ?Highspeedswitching ?Hardswitchedandhighfrequencycircuits ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP260PBF	文件：2.050429 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredfor commercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspre	IRF International Rectifier	IRF

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