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IPT2006-DEA

Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology

IPS

IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.

IPT2006-DEB

Highcurrentdensityduetodoublemesatechnology

IPS

IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.

KBJ2006

SILICONBRIDGERECTIFIERS

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

KBJ2006

SILICONBRIDGERECTIFIERS

HY

HY ELECTRONIC CORP.

KBJ2006

20AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERReverse

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

KBP2006G

GLASSPASSIVATEDBIRIDGERECTIFIERS

FEATURES ?ULRecognizedFile#E469616 ?Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ?Idealforprintedcircuitboard ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowreverseleakagecurrent ?Highsurgecurrentcapability

JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd.

廣東鉅興電子廣東鉅興電子科技有限公司

KBU2006G

GlassPassivatedBridgeRectifiers

HY

HY ELECTRONIC CORP.

KBU2006G

GLASSPASSIVATED3PHASEBRIDGERECTIFIERS

HY

HY ELECTRONIC CORP.

KSR2006

PNP(SWITCHINGAPPLICATION)

SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=10K?,R2=47K?) ?ComplementtoKSR1006

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

LM2006K

P-ChannelMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

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