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HN2E01F中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HN2E01F
廠商型號(hào)

HN2E01F

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

文件大小

1.58274 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

73 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-15 23:51:00

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HN2E01F規(guī)格書詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HN2E01F

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    MULTI CHIP DISCRETE DEVICE Super High Speed Switching Application

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
/ROHS.original
原封
22102
電子元件,供應(yīng) -正納電子/ 元器件IC -MOS -MCU.
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