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HN1B01FU

NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=?50V,IC=?150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

HN1B01FU

Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1; Collector Current (Q1) IC -0.15 A \nCollector Current (Q2) IC 0.15 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V \n;

Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP + NPN\nInternal Connection：Independent\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰國(guó)\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

HN1B01FU

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

HN1B01FU-GR

Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=?50V,IC=?150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

HN1B01FU-Y

Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=?50V,IC=?150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

HN1B01FU_07

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • Polarity：

    PNP + NPN

  • Internal Connection：

    Independent

  • VCEO(Max)(V)：

    -50

  • IC(Max)(A)：

    -0.15

  • hFE(Min)：

    120

  • hFE(Max)：

    400

  • VCE(sat)(Max)(V)：

    -0.3

  • fT(Typ.)(MHz)：

    120

  • VCEO (Q2)(Max)(V)：

    50

  • IC (Q2)(Max)(A)：

    0.15

  • hFE (Q2)(Min)：

    120

  • hFE (Q2)(Max)：

    400

  • VCE(sat) (Q2)(Max)(V)：

    0.25

  • fT (Q2)(Typ.)(MHz)：

    150

  • Comments：

    Rank is specified by hFE range.

  • Number of pins：

    6

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name：

    SOT-363 (US6)

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.0 x 2.1 x 0.9

  • AEC-Q101：

    Qualified(*)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA
24+
SOT363
9800
一級(jí)代理/全新原裝現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)!
 詢價(jià)
TOSHIBA
17+
SOT363
6200
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TOSHIBA
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SOT-363
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TOS
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NA
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TOSHIBA
23+
SOT-363
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原裝正品現(xiàn)貨
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TOSHIBA/東芝
2447
SOT363
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TOSHIBA/東芝
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SOT-363
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TOSHIBA(東芝)
23+
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價(jià)
更多HN1B01FU供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:03:00

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