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HMC815B數(shù)據(jù)手冊(cè)RF/IF射頻/中頻RFID的射頻混頻器規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

HMC815B

參數(shù)屬性

HMC815B 封裝/外殼為32-TFCQFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻混頻器;產(chǎn)品描述:MIXER, UPCONVERTER

功能描述

GaAs MMIC I/Q上變頻器,21 - 27 GHz
MIXER, UPCONVERTER

封裝外殼

32-TFCQFN 裸露焊盤

制造商

ADI Analog Devices

中文名稱

亞德諾 亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-13 23:00:00

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HMC815B規(guī)格書詳情

描述 Description

HMC815B是一款緊湊的砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)上變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝,工作頻率范圍為21 GHz至27 GHz。該器件提供12 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和20 dBc的邊帶抑制性能。HMC815B采用驅(qū)動(dòng)放大器工作,前接由有源2×乘法器驅(qū)動(dòng)LO的同相正交(I/Q)混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過(guò)外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。

HMC815B為混合型單邊帶(SSB)下變頻器的小型替代器件,它無(wú)需線焊,可以使用表貼制造技術(shù)。

HMC815B提供4.90 mm × 4.90 mm、32引腳LCC陶瓷封裝,工作溫度范圍為?40°C至+85°C。如有需要,還可提供HMC815B評(píng)估板。

應(yīng)用

點(diǎn)到點(diǎn)及點(diǎn)到多點(diǎn)無(wú)線電 軍用雷達(dá)、電子戰(zhàn)和電子情報(bào) 衛(wèi)星通信 傳感器

特性 Features

? 轉(zhuǎn)換增益:12 dB(典型值)

? 邊帶抑制:20 dBc(典型值)

? OP1dB壓縮:20 dBm(典型值)

? OIP3:27 dBm(典型值)

? 2× LO至RF隔離:10 dB(典型值)

? 2× LO至IF隔離:15 dB(典型值)

? RF回波損耗:12 dB(典型值)

? LO回波損耗:15 dB(典型值)

簡(jiǎn)介

HMC815B屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻混頻器。由制造生產(chǎn)的HMC815B射頻混頻器射頻混頻器又稱混頻器,這些器件具有三個(gè)端口,用于改變兩個(gè)輸入信號(hào)的頻率。射頻混頻器是一些無(wú)源或有源器件,可用于對(duì)信號(hào)進(jìn)行上下變頻。特征包括射頻類型、頻率、混頻器數(shù)、增益、噪聲系數(shù)、輔助屬性、電流和電壓。頻率范圍為 0 至 90 GHz,混頻器數(shù)為 1、2、3 或 4。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HMC815BLC5TR

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻混頻器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 射頻類型:

    通用

  • 頻率:

    21GHz ~ 27GHz

  • 增益:

    12dB

  • 輔助屬性:

    升頻器

  • 電流 - 供電:

    270mA

  • 電壓 - 供電:

    5.5V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-TFCQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-CLCC(5x5)

  • 描述:

    MIXER, UPCONVERTER

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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