HMC812數(shù)據(jù)手冊(cè)RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書(shū)PDF
| 廠商型號(hào) |
HMC812 |
| 參數(shù)屬性 | HMC812 封裝/外殼為模具；包裝為托盤(pán)；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC RF AMP 71GHZ-76GHZ DIE |
| 功能描述 | 電壓可變衰減器，采用SMT封裝，5 - 30 GHz |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名稱 | 亞德諾 亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-14 23:01:00 |
| 人工找貨 | HMC812價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多HMC812規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
HMC812LC4是一款吸收式電壓可變衰減器(VVA)，工作頻率范圍為5 - 30 GHz，適用于模擬直流控制信號(hào)必須在30 dB幅度范圍內(nèi)控制RF信號(hào)電平的設(shè)計(jì)中。 該器件集成兩個(gè)分流型衰減器，由兩個(gè)模擬電壓（Vctrl1和Vctrl2）控制。 衰減器最優(yōu)線性度性能可通過(guò)以下步驟達(dá)到：首先，在-3V到0V范圍內(nèi)改變第一個(gè)衰減級(jí)的Vctrl1，而Vctrl2固定為-3V。 然后，應(yīng)當(dāng)在-3V至0V范圍內(nèi)改變第二個(gè)衰減級(jí)的控制電壓Vctrl2，而Vctrl1固定為0V。 HMC812LC4采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的4x4 mm QFN無(wú)引腳陶瓷封裝。
然而，如果Vctrl1和Vctrl2引腳相互連接，就有可能以小幅降低輸入IP3性能的代價(jià)實(shí)現(xiàn)全模擬衰減范圍。 具體應(yīng)用包括微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)以及VSAT無(wú)線電中的AGC電路和多增益級(jí)溫度補(bǔ)償。
應(yīng)用
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電
VSAT無(wú)線電
測(cè)試儀器儀表
微波傳感器
軍事、ECM與雷達(dá)
特性 Features
寬帶寬： 5 - 30 GHz
出色的線性度： +25 dBm輸入P1dB
寬衰減范圍： 30 dB
24引腳4x4mm SMT陶瓷封裝： 16mm2
簡(jiǎn)介
HMC812屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由制造生產(chǎn)的HMC812射頻放大器在射頻應(yīng)用中，射頻放大器產(chǎn)品可用于信號(hào)增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運(yùn)算放大器的不同之處在于，它們通常適用于更高的頻率，更傾向于提供不可調(diào)節(jié)的固定增益，并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
HMC8120-SX
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
托盤(pán)
- 頻率：
71GHz ~ 76GHz
- P1dB：
21dBm
- 增益：
22dB
- 電壓 - 供電：
4.5V
- 電流 - 供電：
250mA
- 測(cè)試頻率：
71GHz ~ 76GHz
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
IC RF AMP 71GHZ-76GHZ DIE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITTITE |
24+ |
NA/ |
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