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HMC6505A

5.5 GHz 到 8.6 GHz,GaAs,MMIC,I/Q 升頻器; ? 轉(zhuǎn)換增益:15 dB(典型值)\n\n? 邊帶抑制:22 dBc(典型值)\n\n? 增益最大時(shí)的輸出 P1dB 壓縮:22 dBm(典型值)\n\n? 增益最大時(shí)的輸出 IP3:35 dBm(典型值)\n\n? LO 到 RF 隔離:4 dB(典型值)\n\n? LO 到 IF 隔離:9 dB(典型值)\n\n? RF 回波損耗:20 dB(典型值)\n\n? LO 回波損耗:10 dB(典型值)\n\n? IF 回波損耗:20 dB(典型值)\n\n? 裸焊盤(pán),5 mm × 5 mm,32 端子,無(wú)引線(xiàn)芯片載體封裝;

HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻器,工作頻率范圍為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益,以及 22 dBc 的邊帶抑制。HMC6505A 在可變?cè)鲆娣糯笃?(VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混頻器,該混頻器由主動(dòng)本地振蕩器 (LO) 驅(qū)動(dòng)。提供 IF1 和 IF2 混頻器輸入,并需要采用外部 90° 混合模式選擇所需的邊帶。I/Q 混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)減少了對(duì)不必要的邊帶進(jìn)行過(guò)濾的需要。HMC6505A 是混合式單邊帶 (SSB) 升頻器組件的小型替代方案,它可以使用表面安裝制造技術(shù),這消除了對(duì)引線(xiàn)鍵合的需要。\n\n HMC6505A 提供 5 mm × 5 mm、32 端子無(wú)引線(xiàn)芯片載體 (LCC) 封裝,可在 ?40°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi)工作。HMC6505A 的評(píng)估板還可按需提供。\n\n

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HMC6505A

5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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HMC6505ALC5

Marking:H6505A;Package:LCC;5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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HMC6505ALC5TR

Marking:H6505A;Package:LCC;5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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HMC6505ALC5TR-R5

Marking:H6505A;Package:LCC;5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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HMC6505ALC5

Package:32-TFCQFN 裸露焊盤(pán);包裝:托盤(pán) 類(lèi)別:RF/IF,射頻/中頻和 RFID RF 其它 IC 和模塊 描述:IC MMIC I/Q UPCONVERTER 32LFCSP

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HMC6505ALC5TR

Package:32-TFCQFN 裸露焊盤(pán);包裝:卷帶(TR) 類(lèi)別:RF/IF,射頻/中頻和 RFID RF 其它 IC 和模塊 描述:IC MMIC I/Q UPCONVERTER 32LFCSP

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HMC6505ALC5TR-R5

Package:32-TFCQFN 裸露焊盤(pán);包裝:卷帶(TR) 功能:升頻器 類(lèi)別:RF/IF,射頻/中頻和 RFID RF 其它 IC 和模塊 描述:IC MMIC I/Q UPCONVERTER 5.5-8.6G

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