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HMC452QS16G

1 W功率放大器，采用SMT封裝，0.4 - 2.2 GHz; ? 輸出IP3： +48 dBm \n\n? 增益：22.5 dB (400 MHz) \n\n? 增益：9 dB (2100 MHz) \n\n? PAE為53%（Pout為+31 dBm時(shí)） \n\n? +24 dBm的CDMA2000\n通道功率（ACP為-45 dBc時(shí)） \n\n? +5V單電源 \n\n? 集成功率控制(VPD) \n\n? QSOP16G SMT封裝： 29.4 mm2;

HMC452QS16G(E)是一款高動(dòng)態(tài)范圍GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)、1瓦特MMIC功率放大器，在0.4至2.2 GHz的頻率下工作。 該放大器采用微型16引腳QSOP塑料封裝，其增益在0.4 GHz時(shí)通常為22.5 dB，在2.1 GHz時(shí)通常為9 dB。 它僅使用極小數(shù)量的外部元件和單個(gè)+5V電源，其輸出IP3可以優(yōu)化為+43 dBm（0.4 GHz時(shí)）或+48 dBm（2.1 GHz時(shí)）。 功率控制(VPD)可用于全省電模式或RF輸出功率/電流控制。 高輸出IP3和PAE使得HMC452QS16G(E)成為適合蜂窩/PCS/3G、WLL、ISM和固定無線應(yīng)用的理想功率放大器。 \n\n

HMC452QS16G

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.45 - 2.2 GHz

HMC452QS16G

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

HMC452QS16G

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

HMC452QS16G

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER

HMC452QS16G_06

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

HMC452QS16G_09

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

HMC452QS16GE

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

HMC452QS16GE

Package：16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝：托盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP GP 400MHZ-2.2GHZ 16QSOP

HMC452QS16GETR

Package：16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝：卷帶（TR） 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP CDMA 400MHZ-2.2GHZ 16QSOP