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HMC409LP4ERF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
HMC409LP4E |
參數(shù)屬性 | HMC409LP4E 封裝/外殼為24-VFQFN 裸露焊盤;包裝為帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT |
功能描述 | GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, |
封裝外殼 | 24-VFQFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
1.31865 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | AD |
中文名稱 | 亞德諾 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-7 23:00:00 |
人工找貨 | HMC409LP4E價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
HMC409LP4E規(guī)格書詳情
HMC409LP4E屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由亞德諾半導體技術有限公司制造生產(chǎn)的HMC409LP4E射頻放大器在射頻應用中,射頻放大器產(chǎn)品可用于信號增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運算放大器的不同之處在于,它們通常適用于更高的頻率,更傾向于提供不可調節(jié)的固定增益,并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。
General Description
The HmC409lp4e are high efficiency GaAs inGap HBT mmiC power amplifiers operating from 3.3 to 3.8 GHz. The amplifier is packaged in a low cost, leadless smT package. Utilizing a minimum of external components the amplifier provides 31 dB of gain and +32.5 dBm of saturated power from a +5V supply voltage. The power control (Vpd) can be used for full power down or rf output power/current control. for +22 dBm ofDm output power (64 QAm, 54 mbps), the HmC409lp4e achieve an error vector magnitude (eVm) of 2, meeting wimAX 802.16 linearity requirements.
特性 Features
Gain: 31 dB
40 pAe @ +32.5 dBm pout
2 eVm @ pout = +22 dBm
with 54mbps ofDm signal
+46 dBm output ip3
integrated power Control (Vpd)
single +5V supply
Typical Applications
This amplifier is ideal for use as a power
amplifier for 3.3 - 3.8 GHz applications:
? wimAX 802.16
? fixed wireless Access
? wireless local loop
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
HMC409LP4E
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 類別:
RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝:
帶
- 頻率:
3.3GHz ~ 3.8GHz
- P1dB:
30.5dBm
- 增益:
31dB
- 噪聲系數(shù):
6dB
- 射頻類型:
WiMax
- 電壓 - 供電:
5V
- 電流 - 供電:
615mA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
24-VFQFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝:
24-LFCSP(4x4)
- 描述:
IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亞德諾) |
24+ |
QFN24EP(4x4) |
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ADI |
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24-LeadLFCSP(4mmx4mm |
33680 |
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