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HMC409LP4ERF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

HMC409LP4E
廠商型號

HMC409LP4E

參數(shù)屬性

HMC409LP4E 封裝/外殼為24-VFQFN 裸露焊盤;包裝為帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT

功能描述

GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER,
IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT

封裝外殼

24-VFQFN 裸露焊盤

文件大小

1.31865 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

AD

中文名稱

亞德諾

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 23:00:00

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HMC409LP4E規(guī)格書詳情

HMC409LP4E屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由亞德諾半導體技術有限公司制造生產(chǎn)的HMC409LP4E射頻放大器在射頻應用中,射頻放大器產(chǎn)品可用于信號增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運算放大器的不同之處在于,它們通常適用于更高的頻率,更傾向于提供不可調節(jié)的固定增益,并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。

General Description

The HmC409lp4e are high efficiency GaAs inGap HBT mmiC power amplifiers operating from 3.3 to 3.8 GHz. The amplifier is packaged in a low cost, leadless smT package. Utilizing a minimum of external components the amplifier provides 31 dB of gain and +32.5 dBm of saturated power from a +5V supply voltage. The power control (Vpd) can be used for full power down or rf output power/current control. for +22 dBm ofDm output power (64 QAm, 54 mbps), the HmC409lp4e achieve an error vector magnitude (eVm) of 2, meeting wimAX 802.16 linearity requirements.

特性 Features

Gain: 31 dB

40 pAe @ +32.5 dBm pout

2 eVm @ pout = +22 dBm

with 54mbps ofDm signal

+46 dBm output ip3

integrated power Control (Vpd)

single +5V supply

Typical Applications

This amplifier is ideal for use as a power

amplifier for 3.3 - 3.8 GHz applications:

? wimAX 802.16

? fixed wireless Access

? wireless local loop

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HMC409LP4E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

  • 頻率:

    3.3GHz ~ 3.8GHz

  • P1dB:

    30.5dBm

  • 增益:

    31dB

  • 噪聲系數(shù):

    6dB

  • 射頻類型:

    WiMax

  • 電壓 - 供電:

    5V

  • 電流 - 供電:

    615mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    24-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    24-LFCSP(4x4)

  • 描述:

    IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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