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HMC327MS8GRF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
HMC327MS8G |
| 參數(shù)屬性 | HMC327MS8G 封裝/外殼為8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP |
| 功能描述 | GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz |
| 封裝外殼 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 |
| 文件大小 |
262.089 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Hittite Microwave Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
HITTITE |
| 中文名稱 | Hittite Microwave Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) | HITTITE |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-5 13:28:00 |
| 人工找貨 | HMC327MS8G價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HMC327MS8G規(guī)格書詳情
General Description
The HMC327MS8G(E) is a high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC power amplifi er which operates between 3 and 4 GHz. The amplifi er is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal performance. With a minimum of external components, the amplifier provides 21 dB of gain, +30 dBm of saturated power at 45 PAE from a single +5V supply. Power down capability is available to conserve current consumption when the amplifi er is not in use.
特性 Features
High Gain: 21 dB
Saturated Power: +30 dBm @ 45 PAE
Output P1dB: +27 dBm
Single Supply: +5V
Power Down Capability
Low External Part Count
Compact MSOP Package: 14.8 mm2
Typical Applications
The HMC327MS8G(E) is ideal for:
? Wireless Local Loop
? WiMAX & Fixed Wireless
? Access Points
? Subscriber Equipment
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
HMC327MS8G
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 頻率：
3GHz ~ 4GHz
- P1dB：
27dBm
- 增益：
21dB
- 噪聲系數(shù)：
5dB
- 射頻類型：
WLL，WLAN
- 電壓 - 供電：
5V
- 電流 - 供電：
250mA
- 測試頻率：
3.5GHz
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-MSOP-EP
- 描述：
IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
MSOP-8 |
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HITTITE |
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