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HMC327MS8GRF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
HMC327MS8G |
| 參數(shù)屬性 | HMC327MS8G 封裝/外殼為8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器；產(chǎn)品描述：IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP |
| 功能描述 | GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER |
| 封裝外殼 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 |
| 文件大小 |
328.29 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | AD |
| 中文名稱 | 亞德諾 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-23 22:58:00 |
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HMC327MS8G規(guī)格書詳情
HMC327MS8G屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由亞德諾半導體技術(shù)有限公司制造生產(chǎn)的HMC327MS8G射頻放大器在射頻應用中，射頻放大器產(chǎn)品可用于信號增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運算放大器的不同之處在于，它們通常適用于更高的頻率，更傾向于提供不可調(diào)節(jié)的固定增益，并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。
General Description
The HMC327MS8G(E) is a high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC power amplifier which operates between 3 and 4 GHz. The amplifi er is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal performance. With a minimum of external components, the amplifier provides 21 dB of gain, +30 dBm of saturated power at 45 PAE from a single +5V supply. Power down capability is available to conserve current consumption when the amplifi er is not in use.
特性 Features
High Gain: 21 dB
Saturated Power: +30 dBm @ 45 PAE
Output P1dB: +27 dBm
Single Supply: +5V
Power Down Capability
Low External Part Count
Compact MSOP Package: 14.8 mm2
Typical Applications
The HMC327MS8G(E) is ideal for:
? Wireless Local Loop
? WiMAX & Fixed Wireless
? Access Points
? Subscriber Equipment
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
HMC327MS8G
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 頻率：
3GHz ~ 4GHz
- P1dB：
27dBm
- 增益：
21dB
- 噪聲系數(shù)：
5dB
- 射頻類型：
WLL，WLAN
- 電壓 - 供電：
5V
- 電流 - 供電：
250mA
- 測試頻率：
3.5GHz
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤
- 供應商器件封裝：
8-MSOP-EP
- 描述：
IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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