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IRFB260N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFB260NPBF

HEXFETPowerMOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

IRF

International Rectifier

IRFB260NPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFI260

TRANSISTORN-CHANNEL(Vdss=200V,Rds(on)=0.060ohm,Id=45A*)

200Volt,0.060?,HEXFET HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvan

IRF

International Rectifier

IRFI260

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRFM260

TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.060ohm,Id=35A*)

HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETs

IRF

International Rectifier

IRFM260

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRFP260

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.04ohm,Id=50A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP260

StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode

Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutatingdv/dtrating ?Fastswitchingtimes

IXYS

IXYS Corporation

IRFP260

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HMC260A-SX

  • 制造商：

    Analog Devices Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻混頻器

  • 包裝：

    托盤

  • 射頻類型：

    雷達(dá)

  • 頻率：

    10GHz ~ 26GHz

  • 噪聲系數(shù)：

    11.5dB

  • 輔助屬性：

    升/降頻器

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    GAAS MMIC FUNDAMENTAL MIXER

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ADI/亞德諾
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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更多HMC260A-SX供應(yīng)商 更新時間2025-7-24 11:10:00

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