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IL221AT

Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,LowInputCurrent,HighGain,withBaseConnection

DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransfer ratio(CTR)optocouplerwithagalliumarsenideinfraredLED emitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistor detector. ThedevicehasaCTRtestedat1.0mALEDcurrent.This lowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF221

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRDs

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF221

4.0Aand5.0A,150Vand200V,0.8and1.2Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica

Intersil

Intersil Corporation

IRF221

N-ChannelPowerMOSFETs,7A,150-200V

N-ChannelPowerMOSFETs7A150-200V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF221

HighSpeedApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF221

N-ChannelPowerMosfets

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRF221

NanosecondSwitchingSpeeds

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS221

OPTICALLYCOUPLEDBILATERALSWITCHLIGHTACTIVATEDZEROVOLTAGECROSSINGTRIAC

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

JS-221

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HONEYWELL-ACCHoneywell Accelerometers

霍尼韋爾霍尼韋爾國(guó)際有限公司

JS-221

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HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國(guó)際

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HMC221AE

  • 制造商：

    Analog Devices Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻開(kāi)關(guān)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 射頻類型：

    通用

  • 拓?fù)洌?/span>

    反射

  • 電路：

    SPDT

  • 頻率范圍：

    0Hz ~ 3GHz

  • 隔離：

    18dB

  • 插損：

    0.8dB

  • 測(cè)試頻率：

    3GHz

  • P1dB：

    29dBm

  • IIP3：

    43dBm

  • 阻抗：

    50 歐姆

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 8V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C

  • 封裝/外殼：

    SOT-23-6

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-6

  • 描述：

    IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SOT26

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更多HMC221AE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 10:00:00

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