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HMC-C200

介質(zhì)諧振振蕩器(DRO)模塊, 8.0 - 8.3 GHz; ? 調(diào)諧頻率： 8.0 - 8.3 GHz \n\n? 低SSB相位噪聲： -122 dBc/Hz（10 kHz偏移） \n\n? 單正電源： +6至+15V (116 mA) \n\n? 內(nèi)部穩(wěn)壓器 \n\n? 內(nèi)部緩沖放大器 \n\n? 高輸出功率： +14.5 dBm \n\n? 工作溫度： -40℃至85℃;

HMC-C200是一款高性能介質(zhì)諧振振蕩器(DRO)，采用Hittite的超低相位噪聲技術(shù)，在10 kHz偏置時提供122 dBc/Hz SSB的相位噪聲。 輸出緩沖還提供14.5 dBm的輸出功率。 內(nèi)部溫度補償使得這款DRO能夠在-40°C至+85°C的溫度范圍內(nèi)工作，頻率漂移僅為2ppm/°C。Vtune端口接受 +7至+12V的模擬調(diào)諧電壓，與中心頻率偏離±1 MHz。. 該DRO采用小型防潮密封模塊封裝，帶有可現(xiàn)場更換的SMA連接器。 如果沒有使用SMA連接器，HMC-C200可以用作插入式模塊。 \n\n 每個MC-C200 DRO都需要調(diào)諧到8.0 - 8.3 GHz范圍內(nèi)的特定頻率。 若要訂購HMC-C200，必須在購買時指定此頻率。 Hittite保證產(chǎn)品交付時在該指定頻率的±250 kHz范圍內(nèi)。 更多詳細信息請參考應(yīng)用筆記。 例如，當訂購中心頻率為8.200 GHz的HMC-C200時，請在“Customer Notes”（客戶備注）欄指定HMC-C200-8200。 \n\n

HMC-C200

DIELECTRIC RESONATOR OSCILLATOR MODULE, 8.0 - 8.3 GHz

HMC-C200

DIELECTRIC RESONATOR OSCILLATOR MODULE, 8.0 - 8.3 GHz

HMC-C200

Package：模塊，SMA 連接器；包裝：帶 功能：DRO 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID RF 其它 IC 和模塊 描述：DRO MODULE 8.0-8.3 GHZ

HMC-C200_4

DIELECTRIC RESONATOR OSCILLATOR MODULE, 8.0 - 8.3 GHz

HMD200A

PVdiodemodule

HMDK200A

PVdiodemodule

HNC-200P

CurrentTransducerHNC-200~300P

CurrentTransducerHNC-200..300P Fortheelectronicmeasurementofcurrents:DC,AC,pulsed,mixed,withagalvanicisolationbetweentheprimarycircuit(highpower)andthesecondarycircuit(electroniccircuit). Features ?Halleffectmeasuringprinciple ?Galvanicisolationbetweenprim

HNC-200P

CurrentTransducer

HO200-S

CurrentTransducer