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IRFD020

PowerMOSFET

DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD020

PowerMOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團(tuán)

IRFD020

PowerMOSFET

FEATURES ?Forautomaticinsertion ?Compact,endstackable ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadva

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD020PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD020PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR020

HEXFETRPowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq

IRF

International Rectifier

IRFR020

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR020

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR020

PowerMOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR020

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HMC-C020

  • 制造商：

    Analog Devices Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 頻率：

    17GHz ~ 24GHz

  • P1dB：

    24dBm

  • 增益：

    22dB

  • 噪聲系數(shù)：

    4.5dB

  • 射頻類型：

    VSAT

  • 電壓 - 供電：

    8V ~ 15V

  • 電流 - 供電：

    250mA

  • 測試頻率：

    17GHz ~ 20GHz

  • 安裝類型：

    連接器安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊，SMA 連接器

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IC AMP VSAT 17GHZ-24GHZ MODULE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多HMC-C020供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 8:12:00

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