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NP40N10PDF

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP40N10PDF

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=27mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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100V??40A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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100V??40A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ?RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ?RDS(on

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RFG40N10

40A,100V,0.040Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

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更多HM40N10K供應商 更新時間2025-7-23 14:12:00

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