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IRF3205S	文件：505.03 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs SuperLowGateCharge 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF3205SPBF	文件：277.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0m? ID=110A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFE	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205SPBF	文件：286.48 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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IRF3205VPBF	文件：939.9 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205Z	文件：303.57 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205Z	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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