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HIP6603BECBZ集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
HIP6603BECBZ |
| 參數(shù)屬性 | HIP6603BECBZ 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)；包裝為管件；類(lèi)別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | Drives Two N-Channel MOSFETs |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán) |
| 文件大小 |
256.459 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | INTERSIL |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 15:12:00 |
| 人工找貨 | HIP6603BECBZ價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
HIP6603BECBZ
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類(lèi)別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
管件
- 驅(qū)動(dòng)配置：
半橋
- 通道類(lèi)型：
同步
- 柵極類(lèi)型：
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
10.8V ~ 13.2V
- 輸入類(lèi)型：
非反相
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：
20ns，20ns
- 工作溫度：
0°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC-EP
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HARRIS |
23+ |
SO-8 |
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Renesas Electronics America In |
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8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)裸露 |
9350 |
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8-SOIC-EP |
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