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MCH6602

Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications

N-ChannelSiliconMOSFET Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

MCH6602

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

MCH6602

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SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

MCH6602

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MCH6602-TL-E

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MPS6602

NJSemi-Conductorsreservestherighttochangetestconditions,parameterlimit

NJSemi-Conductorsreservestherighttochangetestconditions,parameterlimit

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MPS6602

COMPLEMENTARYHIGHCURRENTAMPLIFIERTRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

MPS6602

NPN(AMPLIFIERTRANSISTOR)

AMPLIFIERTRANSISTOR ?Collector-EmitterVoltage:VCES=40V ?CollectorDissipation:Pc(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

MPS6602

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MPS6602

AmplifierTransistors

AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HIP6602BCRZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    20ns,20ns

  • 工作溫度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    16-VQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-QFN(5x5)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多HIP6602BCRZ-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 9:02:00