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MPS6602RLRAG

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCE6602

N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NCE6602

NCENandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE6602A

N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NCE6602N

NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

NCE6602N

NCENandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE6602Nusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures ●N-Channel ●VDS=30V,ID=3.5A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NI6602

32-BitCounter/Timers

NI

National Instruments Inc.

NIPCI-6602

32-BitCounter/Timers

NI

National Instruments Inc.

NIPXI-6602

32-BitCounter/Timers

NI

National Instruments Inc.

PJS6602

20VComplementaryEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HIP6602BCR-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    16-VQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    16-QFN（5x5）

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HIP6602BCR-T供應(yīng)商 更新時間2025-7-22 14:14:00

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