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HIP6602CB	文件：207.98 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver TheHIP6602isahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxseriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollerandIntersil’sUltraFETs?formacomplete	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6602CB	文件：516.36 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver Features ?DrivesFourN-channelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevices ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small14-LeadSOICPackage ?5Vto12VGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency ?Three-State	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HIP6602CB-T	文件：207.98 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver TheHIP6602isahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxseriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollerandIntersil’sUltraFETs?formacomplete	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6602CB-T	文件：516.36 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver Features ?DrivesFourN-channelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevices ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small14-LeadSOICPackage ?5Vto12VGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency ?Three-State	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IRF6602	文件：200.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6602combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistancechargeproductinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexi	IRF International Rectifier	IRF
IRF6602	文件：133.28 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
LA6602V	文件：88.2 Kbytes Page：6 Pages	I-VAmplifierforMiniDiscDrives Features ?TheLA6602VisoptimalasaninterfaceICbetweenthePDandservoICsusedinMDPUmodules. ?Eightbufferamplifierchannels ?On-chiplow-noisehigh-bandwidthamplifierRFblock	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
LCE6602	文件：1.35166 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LCE6602N	文件：1.34224 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LM6602	文件：1.35066 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH

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詳細參數(shù)

型號：
HIP6602ACB
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Intersil Corporation

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多HIP6602ACB供應商更新時間2025-7-28 16:22:00

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