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LMH6601MGX	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601MGX	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601MGX/NOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
LMH6601MGXNOPB	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601MGXSLASHNOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1
LMH6601Q	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601QMG	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
HIP6601BECB-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
包裝：
管件
驅(qū)動配置：
半橋
通道類型：
同步
柵極類型：
N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電：
10.8V ~ 13.2V
輸入類型：
非反相
上升/下降時間（典型值）：
20ns，20ns
工作溫度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	HIP6601BECB-T	INTERSIL	25+	SOP8	32360	INTERSIL全新特價HIP6601BECB-T即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
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更多HIP6601BECB-T供應(yīng)商更新時間2025-7-19 14:13:00

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