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LMH6601MGX

250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LMH6601MGX

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LMH6601MGX/NOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LMH6601MGXNOPB

LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LMH6601MGXSLASHNOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LMH6601Q

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LMH6601QMG

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LMH6601QMG/NOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LMH6601QMGNOPB

LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LMH6601QMGSLASHNOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HIP6601BCBZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多HIP6601BCBZ-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 18:10:00

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