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首頁>HIP2100EIBZ>規(guī)格書詳情

HIP2100EIBZ集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

HIP2100EIBZ
廠商型號

HIP2100EIBZ

參數(shù)屬性

HIP2100EIBZ 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver

絲印標(biāo)識

2100EIBZ

封裝外殼

8LdEPSOIC / 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

文件大小

670.9 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-24 20:00:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HIP2100EIBZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    9V ~ 14V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    4V,7V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    10ns,10ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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