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SPA20N60C3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPA20N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA20N60C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyWorldwidebestRDS(on)inTO220Ultralowgatecharge

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB20N60C3

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB20N60C3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPB20N60C3

CoolMOSPowerTransistorFeaturenewrevolutionaryhighvoltagetechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB20N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI20N60C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyWorldwidebestRDS(on)inTO220Ultralowgatecharge

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI20N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI20N60C3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-262(I2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTG20N60C3D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    500μJ（開），500μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    28ns/151ns

  • 測試條件：

    480V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 45A 164W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INTERSIL
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
FAIR
24+
TO247
48650
原裝正品 特價(jià)現(xiàn)貨(香港 新加坡 日本)
 詢價(jià)
仙童
06+
TO-247
6000
原裝庫存
 詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
TO-247
9526
詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
INTERSIL
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-247
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
FAI
03+
TO-247
43
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
仙僮
TO-247
68500
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
 詢價(jià)
ON Semiconductor
2022+
TO-247-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
更多HGTG20N60C3D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 14:00:00

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