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HGT1S10N120BNST中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
HGT1S10N120BNST規(guī)格書詳情
The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor
特性 Features
? 35A, 1200V, TC = 25oC
? 1200V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
? Avalanche Rated
? Thermal Impedance SPICE Model
Temperature Compensating SABER? Model
www.fairchildsemi.com
? Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
產(chǎn)品屬性
- 型號：
HGT1S10N120BNST
- 功能描述：
IGBT 晶體管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO263 |
20648 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div> |
詢價 | ||
INFINEON |
14+ |
TO263 |
4 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-263 |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特價HGT1S10N120BNST即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
ON |
24+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
1709 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價 | |||
ON(安森美) |
25+ |
標準封裝 |
8000 |
原裝，請咨詢 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
24+ |
標準封裝 |
8000 |
原裝，正品 |
詢價 |
