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MTB50N06V

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB50N06V

TMOSPOWERFET42AMPERES60VOLTS

TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOSE–FETdesigns,TMOSVisdesignedtowithstandhighenergy

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多HFW50N06A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 16:06:00