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I2N60	文件：1.3597 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
I2N60	文件：1.3527 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
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I2N60	文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
I2N60	文件：1.34734 Mbytes Page：13 Pages	2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
I2N60	文件：356.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
IRF2N60	文件：299.89 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF2N60	文件：88.55 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF2N60	文件：101.47 Kbytes Page：3 Pages	2A600VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
IXTP2N60P	文件：142.21 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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