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ISB3046

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=350V ·GoodLinearityofhFE ·ComplementtoTypeISB3047 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LM3046

LM3045/LM3046/LM3086TransistorArrays

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LM3046

TransistorArray

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LM3046

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM3046

TransistorArray

GeneralDescription TheLM3046consistsoffivegeneralpurposesiliconNPN transistorsonacommonmonolithicsubstrate.Twoofthe transistorsareinternallyconnectedtoformadifferentiallyconnected pair.Thetransistorsarewellsuitedtoawide varietyofapplicationsinlowpowersyst

SYC

SYC Electronica

LM3046M

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM3046M

LM3045/LM3046/LM3086TransistorArrays

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LM3046M/NOPB

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM3046MSLASHNOPB

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM3046MX

LM3046TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HFA3046BZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    5 NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    3.5dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值：

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 10mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    65mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    14-SOIC

  • 描述：

    RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多HFA3046BZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 11:37:00

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