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IRF1405	文件：3.36263 Mbytes Page：9 Pages	ElectricPowerSteering(EPS) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405L	文件：154.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.3mohm,Id=131A?? Description StripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405L	文件：3.92361 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405LPBF	文件：240.27 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=5.3m廓,ID=131A) Description StripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405PBF	文件：207.62 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=5.3m? ID=169A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOS	IRF International Rectifier	IRF

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