HCT802TXV中文資料OPTEK數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
HCT802TXV |
| 功能描述 | Dual En hance ment Mode MOSFET |
| 文件大小 |
233.77 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | OPTEK |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-8 22:58:00 |
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HCT802TXV規(guī)格書詳情
Description
HCT802 offers an N-Channel and PChannel MOS transistor in a hermetic ceramic surface mount package. The devices used are similar to industry standards 2N6661 N-Channel device and VP1008 P-Channel device. These two enhancement mode MOSFETS are particularly well matched for VDS, IDS(on), RDS(on) and Gfs.
特性 Features
? 6 pad surface mount package
? VDS = 90V
? RDS(on) <5W
? ID(on) N-Channel = 1.5A P-Channel = 1.1A
? Two devices selected for VDS, ID(on) and RDS(on) similarity
? Full TX Processing Available
? Gold plated contacts
產(chǎn)品屬性
- 型號：
HCT802TXV
- 功能描述：
MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列：
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 個 N 溝道（雙） FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安裝類型：
表面貼裝
- 封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
- 包裝：
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2016+ |
TSSOP14 |
2500 |
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詢價 | ||
N/A |
24+/25+ |
1000 |
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詢價 | |||
hp |
25+ |
PLCC20 |
3200 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
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TT |
23+ |
6-SMD |
6000 |
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BEL COMPANIES |
2450+ |
SOP |
6540 |
只做原廠原裝正品終端客戶免費(fèi)申請樣品 |
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ISND/華信安 |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
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HIT |
96+ |
SSOP14 |
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hp |
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HEC |
24+ |
A |
4000 |
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Optek(TTElectronics) |
新 |
5 |
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