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HCPL-5530數(shù)據(jù)手冊Broadcom中文資料規(guī)格書

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廠商型號

HCPL-5530

功能描述

模擬和數(shù)字應用密封型晶體管輸出光電耦合器

制造商

Broadcom Broadcom Corporation.

中文名稱

博通公司 博通半導體

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-18 20:03:00

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HCPL-5530規(guī)格書詳情

描述 Description

HCPL-5530 是采用 8 引腳陶瓷 DIP 封裝的商業(yè)級雙通道密封光電耦合器,同時提供鍍金引腳、浸錫引腳及其他多種引腳形式選擇。請參閱數(shù)據(jù)表獲取詳細信息。
該產(chǎn)品能夠在全部軍事化溫度范圍內(nèi)運行和存儲,并且可以搭配 MIL-PRF-38534 類 H 或 K 級測試購買或從 DLA SMD 5962-87679 中選購。HCPL-5530 在 MIL-PRF-38534 認證線路上進行生產(chǎn)和測試,并且被納入混合型微型電路 QML-38534 DLA 合格制造商名單中。
每個通道含有一個可與集成性光子探測器進行光電耦合的 GaAsP LED,分別用于光電二極管和輸出晶體管集電極的連接,減小了基極與集電極的電容,因而相比于傳統(tǒng)的光電晶體管輸出型耦合器,提高速度高達百倍。
該器件適合寬頻帶寬模擬應用,以及將 TTL 接入 LSTTL 或 CMOS。電流傳輸比 (CTR) 在 IF = 16mA 時為 9%(最低值)。18V Vcc 容量使得設(shè)計師能夠?qū)⑷魏?TTL 系列產(chǎn)品接入 CMOS。設(shè)置的基極引腳可在模擬應用中優(yōu)化增益/帶寬調(diào)整。IC 光電二極管較淺的深度使得其抗輻射效果優(yōu)于傳統(tǒng)的光電晶體管輸出型耦合器。
該產(chǎn)品還配有相連的晶體管基極節(jié)點以提高共模抑制能力和靜電放電 (ESD) 敏感度。此外,還可以按照特殊要求,提供更高的最小電流傳輸比 (CTR)。
該芯片組的單、雙或四通道封裝類型為 8 和 16 引腳 DIP 直插型、16 引腳表面貼裝 DIP 扁平封裝以及 20 無引線陶瓷載體封裝。大部分器件具有多種引腳類型和電鍍方案選擇。請參閱數(shù)據(jù)表獲取詳細信息。
由于數(shù)據(jù)表中列出的所有器件的通道都使用相同芯片,因此數(shù)據(jù)表中列出的最大絕對規(guī)格、建議工作條件、電氣規(guī)格和性能特性等數(shù)據(jù)對于所有部件都基本相同,有基于封裝變化和限制造成的部分例外,并且會予以標示。另外,所有器件也使用相同的封裝組裝工序和材料,這樣的相似性可實現(xiàn)使用從一個部件上獲得的數(shù)據(jù)來代表其他部件的性能,以保證可靠性及部分有限輻射測試結(jié)果。

特性 Features

·商品級、雙通道、8 引腳 DIP
·-55°C 到 +125°C 性能保證
·高抗幅射能力
·可靠性數(shù)據(jù)
·提供 MIL-PRF-38534 H 類和 K 類產(chǎn)品選擇
·五種密封型封裝配置
·提供單通道和四通道器件選擇(封裝可能不同)
·9 MHz 帶寬
·高速:400 Kb/s(典型值)
·集電極開路輸出
·2-18V Vcc 范圍
·1,500 Vdc 耐壓

應用 Application

Military and Aerospace
High Reliability Systems
Transportation, Medical, and Life Critical Systems
Vehicle Command, Control
Line Receiver
Switching Power Supply
Voltage Level Shifting
Analog Signal Ground Isolation
Isolated Input Line Receiver
Isolated Output Line Driver
Logic Ground Isolation
Isolation for Test Equipment Systems
Harsh Industrial Environments

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    HCPL-5530

  • 功能描述:

    高速光耦合器 2Ch 9MHz 1500Vdc Hermetically sealed

  • RoHS:

  • 制造商:

    Avago Technologies

  • 最大正向二極管電壓:

    1.75 V

  • 最大反向二極管電壓:

    5 V

  • 最大功率耗散:

    40 mW

  • 最大工作溫度:

    +125 C

  • 最小工作溫度:

    - 40 C

  • 封裝/箱體:

    SOIC-5

  • 封裝:

    Tube

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