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IRF520FI	文件：55.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighCurrent,HighSpeedSwitching ?DC-DC&DC-ACConverters ?MotorControl,AudioAmplifiers ?FEATURES ?TypicalRDS(on)=0.23Ω ?AvalancheRuggedTechnology ?HighCurrentCapability ?LowGateCharge ?175℃OperatingTemperature	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF520L	文件：185.16 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=9.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF520N	文件：116.9 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20Ohm,Id=9.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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?DESCRITION ?HighCurrent,HighSpeedSwitching ?DC-DC&DC-ACConverters ?MotorControl,AudioAmplifiers ?FEATURES ?TypicalRDS(on)=0.23Ω ?AvalancheRuggedTechnology ?HighCurrentCapability ?LowGateCharge ?175℃OperatingTemperature

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

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PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=9.7A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

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