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HEF4060BPN	文件：109.09 Kbytes Page：7 Pages	MSI14-stageripple-carrybinarycounter/dividerandoscillator DESCRIPTION TheHEF4060Bisa14-stageripple-carrybinarycounter/dividerandoscillatorwiththreeoscillatorterminals(RS,RTCandCTC),tenbufferedoutputs(O3toO9andO11toO13)andanoverridingasynchronousmasterresetinput(MR).Theoscillatorconfigurationallowsdesignofeithe	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
HEF4060BT	文件：110.58 Kbytes Page：7 Pages	14-stageripple-carrybinarycounter/dividerandoscillator DESCRIPTION TheHEF4060Bisa14-stageripple-carrybinarycounter/dividerandoscillatorwiththreeoscillatorterminals(RS,RTCandCTC),tenbufferedoutputs(O3toO9andO11toO13)andanoverridingasynchronousmasterresetinput(MR).Theoscillatorconfigurationallowsdesignofeithe	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
HEF4060BT	文件：109.09 Kbytes Page：7 Pages	MSI14-stageripple-carrybinarycounter/dividerandoscillator DESCRIPTION TheHEF4060Bisa14-stageripple-carrybinarycounter/dividerandoscillatorwiththreeoscillatorterminals(RS,RTCandCTC),tenbufferedoutputs(O3toO9andO11toO13)andanoverridingasynchronousmasterresetinput(MR).Theoscillatorconfigurationallowsdesignofeithe	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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HEF4060BTD	文件：109.09 Kbytes Page：7 Pages	MSI14-stageripple-carrybinarycounter/dividerandoscillator DESCRIPTION TheHEF4060Bisa14-stageripple-carrybinarycounter/dividerandoscillatorwiththreeoscillatorterminals(RS,RTCandCTC),tenbufferedoutputs(O3toO9andO11toO13)andanoverridingasynchronousmasterresetinput(MR).Theoscillatorconfigurationallowsdesignofeithe	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
HEF4060BTT	文件：255.99 Kbytes Page：14 Pages	14-stageripple-carrybinarycounter/dividerandoscillator 1.Generaldescription TheHEF4060Bisa14-stageripple-carrycounter/dividerandoscillatorwiththreeoscillator terminals(RS,REXTandCEXT),tenbufferedparalleloutputs(Q3toQ9andQ11toQ13)andan overridingasynchronousmasterreset(MR).Theoscillatorconfigurationallowsdesign	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
HM4060	文件：601.9 Kbytes Page：13 Pages	Switchtypelithiumbatterychargemanagementchip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IRGB4060DPBF	文件：290.61 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology ?LowSwitchingLosses ?MaximumJunctiontemperature175°C ?5μsSCSOA ?SquareRBSOA ?100ofThePartsTestedfor4XRatedCurrent(ILM) ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode ?TighterDistri	IRF International Rectifier	IRF

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