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IRL2203N	文件：221.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203N	文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL2203NL	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NLPBF	文件：231.35 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NLPBF	文件：295.79 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NPBF	文件：183.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NPBF	文件：192.01 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NS	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203NS	文件：263.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL2203NSPBF	文件：231.35 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
HAT2203C-EL-E
制造商：
RENESAS
制造商全稱：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET Power Switching

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	HAT2203C-EL-E	RENESAS/瑞薩	2019+PB	CMFPAK6	85400	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	HAT2203C-EL-E	RENESAS	25+23+	SOT23	29154	絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳兆威電子有限公司	HAT2203C-EL-E	RENESAS	23+	SOT23	999999	原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨	詢價
深圳誠思涵科技有限公司	HAT2203C-EL-E	Renesas	19+	CMFPAK6	200000		詢價
深圳市華睿芯科技有限公司	HAT2203C-EL-E	RENESAS	24+	SOT23	20000	全新原廠原裝，進口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	HAT2203C-EL-E	Renesas	20+	CMFPAK6	36800	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	HAT2203C-EL-E	RENESAS/瑞薩	23+	SOT23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市英瑞爾電子科技有限公司	HAT2203C-EL-E	Renesas	24+	CMFPAK6	85400	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
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貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	HAT2203C-EL-E	RENESAS/瑞薩	23+	SOT23	86541	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價

更多HAT2203C-EL-E供應商更新時間2025-7-29 14:00:00

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