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HCS109HMSR

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia

Intersil

Intersil Corporation

HCS109HMSR

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

Features ?3MicronRadiationHardenedSOSCMOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Cos

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HCS109K

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia

Intersil

Intersil Corporation

HCS109K

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

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RENESASRenesas Technology Corp

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HCS109KMSR

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia

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HCS109KMSR

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

Features ?3MicronRadiationHardenedSOSCMOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Cos

RENESASRenesas Technology Corp

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HCS109MS

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia

Intersil

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HCS109MS

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

Features ?3MicronRadiationHardenedSOSCMOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Cos

RENESASRenesas Technology Corp

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HCTS109D

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

Description TheIntersilHCTS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCTS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofrad

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HCTS109DMSR

RadiationHardenedDualJKFlipFlop

Description TheIntersilHCTS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCTS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofrad

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HAL109TQ-I

  • 制造商：

    TDK-Micronas GmbH

  • 類別：

    傳感器，變送器 > 磁性傳感器 - 開(kāi)關(guān)（固態(tài)）

  • 系列：

    HAL?

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 功能：

    單極開(kāi)關(guān)

  • 技術(shù)：

    霍爾效應(yīng)

  • 極化：

    南極

  • 感應(yīng)范圍：

    12mT 跳閘，1.8mT 釋放

  • 測(cè)試條件：

    25°C

  • 電壓 - 供電：

    3.8V ~ 24V

  • 電流 - 供電（最大值）：

    5.2mA

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    50mA

  • 輸出類型：

    開(kāi)路漏極

  • 特性：

    溫度補(bǔ)償

  • 工作溫度：

    -20°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-89B-3

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA，變式

  • 描述：

    MAGNETIC SWITCH UNIPOL SOT89B-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多HAL109TQ-I供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 10:19:00

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