HAF1001中文資料日立數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
HAF1001 |
| 功能描述 | Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching / Over Temperature Shut-down Capability |
| 文件大小 |
53.89 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Hitachi Hitachi Semiconductor |
| 中文名稱 | 日立 日立公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-10 23:01:00 |
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HAF1001規(guī)格書詳情
特性 Features
This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature.
This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.
? Logic level operation (–4 to –6 V Gate drive)
? High endurance capability against to the short circuit
? Built–in the over temperature shut–down circuit
? Latch type shut–down operation (Need 0 voltage recovery)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
HAF1001
- 制造商：
HITACHI
- 制造商全稱：
Hitachi Semiconductor
- 功能描述：
Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching/Over Temperature Shut-down Capability
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
NA/ |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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VBsemi |
21+ |
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HITACHI/日立 |
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