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HSB-460I	文件：630.68 Kbytes Page：1 Pages	AMDGeodeGX1Processor	AAEONAAEON Technology 研揚(yáng)科技研揚(yáng)科技（蘇州）有限公司	AAEON
HX460	文件：1.42915 Mbytes Page：5 Pages	1000Amp1500VdcContactor FEATURES RobustHighVoltage/HighPowerloadbreakbi-directionalDCcontactor DesignedforhighvoltagePowerconversionequipmentOEM’s:Photovoltaic/Batteryinverters, batterypackdesigners,DCcombinerboxesandotherHVDCindustrialdrivesystems Excellentisolationperformance:10kvwit	SensataSensata Technologies, Inc. 森薩塔	Sensata
IRF460	文件：17.03 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF460	文件：140.3 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=0.27ohm,Id=21) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF460	文件：438.66 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
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IRF460	文件：96.69 Kbytes Page：2 Pages	500V,N-CHANNEL	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF460	文件：48.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF460	文件：498.53 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF460PBF	文件：143.79 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET??RANSISTORSTHRU-HOLE(TO-204AA/AE)	IRF International Rectifier	IRF

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